APPLICATION
在前面三期中,我們連續(xù)展現(xiàn)了華中科技大學韓俊波教授課題組在SHG上的出色工作,從本期開始,我們開始做一些基礎性的討論。
本期是第三期:激發(fā)光的偏振狀態(tài)對于SHG強度的影響主要原因是什么?
激發(fā)光的偏振狀態(tài)對二次諧波生成(SHG)強度有顯著影響。
這種影響主要通過以下幾個方面體現(xiàn):
1. 表面等離子體共振(SPR)模式的激發(fā)
2. 實驗觀察
3. 數(shù)值模擬
FDTD模擬:通過有限差分時域(FDTD)模擬,作者計算了不同偏振狀態(tài)下納米棒的電場分布和局域場增強因子(fE)。模擬結果表明,p偏振光在納米棒的長軸方向上產(chǎn)生了更強的局域電場增強,這與實驗觀察到的SHG強度的偏振依賴性一致。具體來說,p偏振光在納米棒的長軸方向上產(chǎn)生了顯著的電場增強,而s偏振光在納米棒的短軸方向上產(chǎn)生的電場增強較弱。
4. 具體數(shù)據(jù)
結論
激發(fā)光的偏振狀態(tài)對SHG強度有顯著影響。p偏振光能夠更有效地激發(fā)納米結構的LSPR模式,從而顯著增強SHG信號。相比之下,s偏振光對LSPR模式的激發(fā)效果較弱,因此SHG強度較低。通過合理選擇激發(fā)光的偏振狀態(tài),可以優(yōu)化SHG信號的強度,從而提高非線性光學測量的靈敏度和效率。
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